Ingatan

MT35XL512ABA1G12-0AAT

MT35XL512ABA1G12-0AAT

bahagian bahagian: 1285

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
MT53D4DASB-DC TR

MT53D4DASB-DC TR

bahagian bahagian: 9317

Senarai harapan
EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

bahagian bahagian: 875

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (64M x 64), Kekerapan Jam: 533MHz,

Senarai harapan
MT53D1024M64D8NW-046 WT ES:D

MT53D1024M64D8NW-046 WT ES:D

bahagian bahagian: 1987

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

Senarai harapan
MT35XL256ABA1GSF-0AAT

MT35XL256ABA1GSF-0AAT

bahagian bahagian: 1281

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
MT49H32M9SJ-25:B TR

MT49H32M9SJ-25:B TR

bahagian bahagian: 3260

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (32M x 9), Kekerapan Jam: 400MHz,

Senarai harapan
MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E

MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E

bahagian bahagian: 6680

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

Senarai harapan
MT35XL256ABA2GSF-0AAT TR

MT35XL256ABA2GSF-0AAT TR

bahagian bahagian: 2651

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
MT53D4DCTW-DC TR

MT53D4DCTW-DC TR

bahagian bahagian: 9396

Senarai harapan
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E

bahagian bahagian: 6613

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

Senarai harapan
MT53D512M64D4BP-046 WT:E TR

MT53D512M64D4BP-046 WT:E TR

bahagian bahagian: 9491

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

Senarai harapan
MTFC16GAPALBH-AAT ES

MTFC16GAPALBH-AAT ES

bahagian bahagian: 7472

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

Senarai harapan
ECF440AACCN-P4-Y3

ECF440AACCN-P4-Y3

bahagian bahagian: 668

Senarai harapan
MT53D8DARG-DC

MT53D8DARG-DC

bahagian bahagian: 7119

Senarai harapan
MT29F32G08ABCABH1-10Z:A

MT29F32G08ABCABH1-10Z:A

bahagian bahagian: 2768

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

Senarai harapan
MTFC64GANALAM-WT ES TR

MTFC64GANALAM-WT ES TR

bahagian bahagian: 509

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8),

Senarai harapan
MT53D4D1ABP-DC

MT53D4D1ABP-DC

bahagian bahagian: 8413

Senarai harapan
MT53D4DBKA-DC TR

MT53D4DBKA-DC TR

bahagian bahagian: 9366

Senarai harapan
MTFC8GAMALNA-AIT ES TR

MTFC8GAMALNA-AIT ES TR

bahagian bahagian: 633

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

Senarai harapan
MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C

MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C

bahagian bahagian: 1569

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

Senarai harapan
MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E

MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E

bahagian bahagian: 6579

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

Senarai harapan
MT53D2048M32D8QD-053 WT ES:D TR

MT53D2048M32D8QD-053 WT ES:D TR

bahagian bahagian: 3280

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (2G x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

Senarai harapan
MT29F2G16ABAFAWP:F TR

MT29F2G16ABAFAWP:F TR

bahagian bahagian: 778

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16),

Senarai harapan
ECF00453ZCN-Y3

ECF00453ZCN-Y3

bahagian bahagian: 4104

Senarai harapan
MTFC8GAMALBH-AAT ES

MTFC8GAMALBH-AAT ES

bahagian bahagian: 7776

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

Senarai harapan
MT53B2DARN-DC

MT53B2DARN-DC

bahagian bahagian: 5747

Senarai harapan
MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E

MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E

bahagian bahagian: 3699

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

Senarai harapan
MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E TR

MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E TR

bahagian bahagian: 9455

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

Senarai harapan
MT35XL512ABA1G12-0AAT TR

MT35XL512ABA1G12-0AAT TR

bahagian bahagian: 3515

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan