Ingatan

MT35XL512ABA2G12-0AUT

bahagian bahagian: 5609

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

MT53E512M64D4NW-046 WT:E TR

bahagian bahagian: 10008

MT29VZZZ7D7DQKWL-053 W.97Y

bahagian bahagian: 5508

MT47H128M16RT-25E AIT:C TR

bahagian bahagian: 3331

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MTFC32GAMALAM-WT ES

bahagian bahagian: 2557

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B

bahagian bahagian: 1624

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT44K64M18RCT-125:A TR

bahagian bahagian: 3894

MT53D1024M32D4DT-046 AUT:E

bahagian bahagian: 3907

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT29F4G08ABAFAWP-AITES:F TR

bahagian bahagian: 8637

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

MT29VZZZ7C7DQFSL-046 W.9J7 TR

bahagian bahagian: 8711

MT47H128M16RT-25E AIT:C

bahagian bahagian: 3297

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT61M256M32JE-12 AAT:A TR

bahagian bahagian: 12

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR6, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1.5GHz,

MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C

bahagian bahagian: 1486

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53D4D1ASQ-DC TR

bahagian bahagian: 9270

MT35XU512ABA1G12-0AAT

bahagian bahagian: 1333

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT25TL01GHBB8E12-0AAT

bahagian bahagian: 4168

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT29F256G08EBHAFB16A3WEA

bahagian bahagian: 7983

MT40A512M8Z90BWC1

bahagian bahagian: 8099

MTFC32GAPALBH-AAT ES

bahagian bahagian: 7609

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8

bahagian bahagian: 5575

MT53D8D1ASQ-DC

bahagian bahagian: 7014

MT29F32G08ABAAAWP-Z:A

bahagian bahagian: 2837

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8),

MTFC32GAPALNA-AIT

bahagian bahagian: 2478

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT53B8DANK-DC

bahagian bahagian: 3651

MT53D768M32D4BD-053 WT ES:C

bahagian bahagian: 2325

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (768M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MTFC128GAJAECE-5M AIT

bahagian bahagian: 2425

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8),

MTFC128GAPALNA-AAT ES

bahagian bahagian: 7419

MT53B4DATX-DC

bahagian bahagian: 9449

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53D1G64D8NW-046 WT ES:E

bahagian bahagian: 6037

MT35XU256ABA1G12-0AAT

bahagian bahagian: 1300

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

MTFC32GAKAEJP-5M AIT TR

bahagian bahagian: 2925

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT41K1G8SN-107 IT:A TR

bahagian bahagian: 4114

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F32G08ABAAAWP-Z:A TR

bahagian bahagian: 2752

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8),

MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D

bahagian bahagian: 1976

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53D768M64D4SQ-046 WT ES:A TR

bahagian bahagian: 9617

MT53D1G32D4NQ-046 WT ES:E

bahagian bahagian: 6009