Ingatan

MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES :D

bahagian bahagian: 1909

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES:D TR

bahagian bahagian: 3214

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B

bahagian bahagian: 6085

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MTFC128GAPALNS-AIT

bahagian bahagian: 3269

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8),

MT53D4DDSB-DC

bahagian bahagian: 6460

MT25QL128ABB1EW7-CAUT TR

bahagian bahagian: 8472

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MTFC16GAKAEEF-O1 AIT

bahagian bahagian: 66

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MTFC32GAPALNA-AAT ES TR

bahagian bahagian: 416

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A TR

bahagian bahagian: 9574

MT35XL256ABA2G12-0AAT TR

bahagian bahagian: 3109

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

MT53E2G32D8QD-046 WT:E TR

bahagian bahagian: 9944

MT53B8DANK-DC TR

bahagian bahagian: 9093

MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D

bahagian bahagian: 1498

MT53D1024M64D8NW-053 WT ES:D TR

bahagian bahagian: 9141

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

ECF440AACCN-V6-Y3

bahagian bahagian: 7855

MT29C4G48MAYBBAMR-48 IT

bahagian bahagian: 1167

MT53B2G32D8QD-062 WT:D TR

bahagian bahagian: 3199

MT44K32M36RCT-125 IT:A TR

bahagian bahagian: 3802

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 1.125Gb (32Mb x 36), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT52L4DAGN-DC

bahagian bahagian: 5750

MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A

bahagian bahagian: 1388

MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-M

bahagian bahagian: 3465

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B TR

bahagian bahagian: 9229

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

PN28F256M29EWHD TR

bahagian bahagian: 774

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

MT61M256M32JE-10 AAT:A

bahagian bahagian: 7297

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR6, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1.25GHz,

MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J TR

bahagian bahagian: 3038

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E

bahagian bahagian: 6944

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT35XU01GBBA1G12-0AAT

bahagian bahagian: 1266

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D

bahagian bahagian: 1837

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT25QL01GBBB8E12-0SIT

bahagian bahagian: 1218

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT35XL512ABA1G12-0AUT

bahagian bahagian: 5610

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

MT53B2G32D8QD-062 WT ES:D TR

bahagian bahagian: 3117

MT52L1G64D8QC-107 WT ES:B

bahagian bahagian: 1352

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT53D2G32D8QD-053 WT ES:E

bahagian bahagian: 6171

MT53D512M64D4NW-046 WT ES:D

bahagian bahagian: 2315

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR

bahagian bahagian: 675

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR

bahagian bahagian: 8544

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,