Ingatan

MT35XL256ABA2G12-0AAT

bahagian bahagian: 1274

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

MT35XU512ABA2G12-0AUT

bahagian bahagian: 5608

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT53B256M32D1TG-062 XT ES:C

bahagian bahagian: 1529

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT61M256M32JE-12 N:A TR

bahagian bahagian: 10020

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR6, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1.5GHz,

MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR

bahagian bahagian: 8582

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

MTFC64GAOAMEA-WT ES TR

bahagian bahagian: 423

MT53D8D1BSQ-DC TR

bahagian bahagian: 9839

MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F

bahagian bahagian: 3594

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

MT53B4DCNQ-DC

bahagian bahagian: 1761

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53B512M16D1Z11MWC2 MS

bahagian bahagian: 8263

MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR

bahagian bahagian: 2752

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR

bahagian bahagian: 57

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MTFC128GAPALNS-AIT TR

bahagian bahagian: 2909

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8),

MT53B256M32D1DS-062 AUT:C

bahagian bahagian: 42

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53D8DAWF-DC TR

bahagian bahagian: 9895

EDF8164A3MD-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 8474

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

MTFC32GANALEA-WT

bahagian bahagian: 7486

MT29F2G16ABAFAWP:F

bahagian bahagian: 1365

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16),

MT53D768M64D4SB-046 XT ES:A TR

bahagian bahagian: 9591

MT53D768M64D8JS-053 WT ES:D TR

bahagian bahagian: 4028

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53B2DANW-DC TR

bahagian bahagian: 2757

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53D4DGSB-DC TR

bahagian bahagian: 3948

MT29VZZZ7D7DQKWL-053 W.97Y TR

bahagian bahagian: 8730

MT53D8DAWF-DC

bahagian bahagian: 7118

MT35XU02GCBA1G12-0AUT

bahagian bahagian: 5575

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B

bahagian bahagian: 5923

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES:D

bahagian bahagian: 2008

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53D384M64D4SB-046 XT ES:D

bahagian bahagian: 6180

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MTFC64GAPAKEA-WT ES

bahagian bahagian: 3303

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8),

MT52L4DAGN-DC TR

bahagian bahagian: 8964

MT53D2G32D8QD-053 WT ES:E TR

bahagian bahagian: 9208

MT53B256M16D1Z00MWC1

bahagian bahagian: 8233

MT61M256M32JE-10 AAT:A TR

bahagian bahagian: 9947

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR6, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1.25GHz,

MT52L256M32D1PU-107 WT:B TR

bahagian bahagian: 8943

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT53D768M64D4NZ-046 WT:A TR

bahagian bahagian: 3985

MT25QU128ABB1EW7-CAUT

bahagian bahagian: 5153

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,