Ingatan

MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C

bahagian bahagian: 8288

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR

bahagian bahagian: 4821

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8, 8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

MT53B4DATT-DC

bahagian bahagian: 5834

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MTFC16GAPALNA-AIT TR

bahagian bahagian: 177

MT53D8DARG-DC TR

bahagian bahagian: 9819

MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8 TR

bahagian bahagian: 8785

MT35XL01GBBA1G12-0AAT

bahagian bahagian: 1225

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

MT53D2048M32D8QD-046 WT ES:D

bahagian bahagian: 2051

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (2G x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT35XU512ABA2G12-0AUT TR

bahagian bahagian: 8879

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT46H64M32LFT89MWC2-N1004

bahagian bahagian: 8122

MT52L256M32D1PU-107 WT:B

bahagian bahagian: 5723

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT53D512M64D4CR-053 WT ES:D

bahagian bahagian: 2356

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

N25Q512A83G12A0F

bahagian bahagian: 2558

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E

bahagian bahagian: 1297

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8),

MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C

bahagian bahagian: 1451

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A TR

bahagian bahagian: 2716

MT29VZZZBD8HQOWL-053 W ES.G8D TR

bahagian bahagian: 8883

EDF8164A3MC-GD-F-R

bahagian bahagian: 7954

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

MTFC64GAPALBH-AAT ES

bahagian bahagian: 3804

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8),

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D

bahagian bahagian: 3700

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT25QL128ABB1EW7-CSIT TR

bahagian bahagian: 8496

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT29VZZZAD8HQKPR-053 W ES.G8C TR

bahagian bahagian: 8779

MT29F512G08EECAGJ4-5M:A

bahagian bahagian: 96

MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D TR

bahagian bahagian: 3989

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MTFC64GAPALBH-AIT ES

bahagian bahagian: 7736

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8),

MT53D512M32D2DS-046 WT ES:D

bahagian bahagian: 2271

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B

bahagian bahagian: 3717

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53D1536M32D6BE-053 WT ES:D

bahagian bahagian: 5982

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (1.5G x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53D4DBFL-DC

bahagian bahagian: 8339

MT29F4G08ABAFAM70A3WC1

bahagian bahagian: 8023

MT53B4DAPV-DC

bahagian bahagian: 1736

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR

bahagian bahagian: 9527

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53D4DACR-DC TR

bahagian bahagian: 3348

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT25QL256ABA8E14-1SIT

bahagian bahagian: 910

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT53D768M32D4CB-053 WT ES:C

bahagian bahagian: 2432

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (768M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR

bahagian bahagian: 3455

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,