Ingatan

MT53B4DATT-DC TR

bahagian bahagian: 9046

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53D1G32D4BD-053 WT:D

bahagian bahagian: 2077

MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E

bahagian bahagian: 3696

MTFC128GAPALNS-AAT ES

bahagian bahagian: 7461

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8),

MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

bahagian bahagian: 8286

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53D4DBNZ-DC

bahagian bahagian: 6496

MTFC64GAPALNA-AIT ES TR

bahagian bahagian: 560

MTFC32GAPALNA-AAT ES

bahagian bahagian: 7678

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT61M256M32JE-10 N:A TR

bahagian bahagian: 9965

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR6, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1.25GHz,

MT28EW512ABA1LPC-1SIT TR

bahagian bahagian: 4877

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

MT53D8DBWF-DC TR

bahagian bahagian: 2898

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29RZ4C4DZZMGMF-18 W.80U TR

bahagian bahagian: 761

MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D

bahagian bahagian: 2011

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR

bahagian bahagian: 8580

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT53D512M64D4HR-053 WT ES:D

bahagian bahagian: 6581

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MTFC8GAMALNA-AIT ES

bahagian bahagian: 7856

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

MT47H256M8EB-25E IT:C

bahagian bahagian: 2726

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT53D1G64D8NW-053 WT ES:E

bahagian bahagian: 6040

MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E

bahagian bahagian: 6739

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

EDF8164A3MD-GD-F-R

bahagian bahagian: 7905

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D TR

bahagian bahagian: 9628

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B TR

bahagian bahagian: 8959

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E TR

bahagian bahagian: 8629

MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E

bahagian bahagian: 6948

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR

bahagian bahagian: 9545

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT28EW256ABA1LPN-0SIT

bahagian bahagian: 1054

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

MT35XU512ABA1G12-0AUT TR

bahagian bahagian: 8846

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D

bahagian bahagian: 2242

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT52L1DAPF-DC TR

bahagian bahagian: 8977

MT29F256G08AUEDBJ6-12:D TR

bahagian bahagian: 985

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT53E1G32D4NQ-046 WT:E

bahagian bahagian: 7217

MTFC32GAPALBH-AIT ES TR

bahagian bahagian: 327

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D

bahagian bahagian: 1789

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F TR

bahagian bahagian: 2630

MT29F1G01ABBFDM78A3WC1

bahagian bahagian: 4280

MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR

bahagian bahagian: 9191

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,