Ingatan

MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR

bahagian bahagian: 9667

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT35XL512ABA1G12-0AUT TR

bahagian bahagian: 3956

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

MT53D2DADS-DC TR

bahagian bahagian: 9159

MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C

bahagian bahagian: 1784

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53D384M64D4FL-046 XT:E TR

bahagian bahagian: 9234

MT25QL128ABB8E12-0AUT TR

bahagian bahagian: 3930

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MTFC256GAOAMAM-WT ES TR

bahagian bahagian: 201

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Tb (256G x 8),

MTFC16GAPALBH-AIT ES

bahagian bahagian: 7463

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C

bahagian bahagian: 3192

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MTFC128GAOANAM-WT ES TR

bahagian bahagian: 82

MT53D1G64D8NW-046 WT ES:E TR

bahagian bahagian: 9189

MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR

bahagian bahagian: 3973

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT25QU128ABA8E12-1SIT TR

bahagian bahagian: 730

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT41K512M16V91AWC1

bahagian bahagian: 8125

MT53B512M64D4EZ-062 WT:C

bahagian bahagian: 1802

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MTFC8GAMALNA-AIT

bahagian bahagian: 2548

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

MT29F8G08ABABAM61A3WC1

bahagian bahagian: 4314

MTFC32GAKAEJP-4M IT TR

bahagian bahagian: 3564

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B

bahagian bahagian: 1961

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53D4DCNZ-DC TR

bahagian bahagian: 9330

MTFC128GAOANEA-WT ES TR

bahagian bahagian: 70

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8),

MT53D768M64D4SB-046 XT ES:A

bahagian bahagian: 3716

MT53D4DAHR-DC

bahagian bahagian: 6314

MT29F128G08CBCCBH6-6R:C TR

bahagian bahagian: 4095

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D

bahagian bahagian: 6757

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR

bahagian bahagian: 9633

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53D8DBPM-DC TR

bahagian bahagian: 9879

MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G

bahagian bahagian: 1199

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MTFC128GAPALNA-AIT

bahagian bahagian: 7405

MT53D1024M32D4DT-046 AUT:D

bahagian bahagian: 1904

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT28EW01GABA1HPC-1SIT

bahagian bahagian: 4799

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8, 64M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

MTFC16GAKAEJP-AIT TR

bahagian bahagian: 60

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MTFC64GAPALNA-AAT ES

bahagian bahagian: 7689

MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E

bahagian bahagian: 5243

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MT53D512M32D2NP-046 WT ES:D

bahagian bahagian: 6585

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MTFC64GAPALBH-AIT ES TR

bahagian bahagian: 475

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8),