Ingatan

MT29F8G08ADAFAWP-AITES:F TR

bahagian bahagian: 8600

MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR

bahagian bahagian: 3397

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53B512M16D1Z11NWC1

bahagian bahagian: 8266

MTFC64GANALAM-WT ES

bahagian bahagian: 7664

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8),

MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8 TR

bahagian bahagian: 8746

MT53D1024M32D4DT-046 AAT:E

bahagian bahagian: 8330

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT28EW256ABA1HPC-1SIT TR

bahagian bahagian: 4829

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

ECF840AAACN-C1-Y3

bahagian bahagian: 608

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16),

MT41K512M8V00HWC1-N001

bahagian bahagian: 8138

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

MT53B192M32D1Z0AMWC1

bahagian bahagian: 8225

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 6Gb (192M x 32),

MT53D4DCNZ-DC

bahagian bahagian: 6461

MT35XU512ABA2G12-0AAT

bahagian bahagian: 1389

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT25QL128ABB8ESF-0AUT TR

bahagian bahagian: 8510

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR

bahagian bahagian: 8703

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT53D512M32D2NP-046 WT ES:D TR

bahagian bahagian: 9424

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53E512M32D2NP-046

bahagian bahagian: 7225

MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:D TR

bahagian bahagian: 2667

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MT53D8DBNW-DC

bahagian bahagian: 8443

MT25QU128ABB1EW7-CSIT

bahagian bahagian: 5228

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MTFC128GAOAMEA-WT ES TR

bahagian bahagian: 10059

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8),

MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W ES.9B7

bahagian bahagian: 1197

MT53B768M64D8NK-053 WT ES:D TR

bahagian bahagian: 9046

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D TR

bahagian bahagian: 2727

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53D8D1AJS-DC TR

bahagian bahagian: 9808

MTFC64GAJAECE-5M AIT

bahagian bahagian: 2517

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8),

ECF620AAACN-C2-Y3

bahagian bahagian: 7858

MT25QU128ABB1EW7-CAUT TR

bahagian bahagian: 8499

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MTFC8GAMALBH-AIT ES

bahagian bahagian: 7724

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

MT53D4DACR-DC

bahagian bahagian: 2192

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT52L4DBPG-DC TR

bahagian bahagian: 2650

MTFC16GAPALBH-AIT

bahagian bahagian: 2442

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT53E512M64D4NW-046 WT:E

bahagian bahagian: 7222

MT53D384M64D4SB-046 XT ES:E

bahagian bahagian: 3647

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR

bahagian bahagian: 9160

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT40A256M16Z90BWC1

bahagian bahagian: 8046

MT53D768M64D8RG-053 WT ES:D TR

bahagian bahagian: 9697

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,