Ingatan

MT53D4DASB-DC

bahagian bahagian: 6337

MT35XU512ABA1G12-0AUT

bahagian bahagian: 5665

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT52L256M32D1V01MWC2 MS

bahagian bahagian: 8101

MTFC32GAOALEA-WT ES

bahagian bahagian: 7519

MT29F64G08CBEDBL84C3WC1

bahagian bahagian: 4391

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

MT53D4D1ARQ-DC

bahagian bahagian: 6213

MT25QU01GBBB8ESF-0SIT

bahagian bahagian: 1319

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT53D4DGSB-DC

bahagian bahagian: 6482

MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W ES.9B7 TR

bahagian bahagian: 2565

MT61K256M32JE-13:A

bahagian bahagian: 7189

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR6, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1.625GHz,

MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B

bahagian bahagian: 5783

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 6Gb (384M x 16), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR

bahagian bahagian: 9517

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT25TL512BBA8ESF-0AAT

bahagian bahagian: 1366

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT35XU01GBBA2G12-0AAT

bahagian bahagian: 1278

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT44K64M18RCT-125E:A TR

bahagian bahagian: 3803

MT29VZZZAD8HQKPR-053 W ES.G8C

bahagian bahagian: 3554

MT25QL128ABB1EW7-CSIT

bahagian bahagian: 5116

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT53B512M64D4EZ-062 WT:B

bahagian bahagian: 1789

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT35XL256ABA2GSF-0AAT

bahagian bahagian: 1255

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

MT29TZZZ8D5BKFAH-125 W.95K

bahagian bahagian: 1169

MT28EW01GABA1HPC-1SIT TR

bahagian bahagian: 3484

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8, 64M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

MT53D1024M64D8NW-053 WT ES:D

bahagian bahagian: 6001

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E TR

bahagian bahagian: 9800

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MTFC64GAPALNA-AIT ES

bahagian bahagian: 7668

MT29C4G48MAYBBAKS-48 IT

bahagian bahagian: 1029

MT53D4DCFL-DC TR

bahagian bahagian: 9398

MT40A512M16JY-083E AUT:B TR

bahagian bahagian: 2592

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MTFC8GAMALBH-AAT ES TR

bahagian bahagian: 4067

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

MT53D8D1AJS-DC

bahagian bahagian: 6999

MT53E1G64D8NW-053 WT:E

bahagian bahagian: 7184

MT29VZZZ7C8DQFSL-046 W.9J8

bahagian bahagian: 5545

MTFC32GAKAEJP-4M IT

bahagian bahagian: 2478

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D

bahagian bahagian: 9428

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29VZZZAD8HQKWL-053 W.G8C TR

bahagian bahagian: 8791

MT53B2DDNP-DC TR

bahagian bahagian: 3121

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53E1G64D8NW-046 WT:E TR

bahagian bahagian: 9918