Ingatan

MT53D4DBBD-DC

bahagian bahagian: 6442

MTFC32GANALEA-WT TR

bahagian bahagian: 9413

MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C TR

bahagian bahagian: 933

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

ECF620AAACN-C1-Y3-ES

bahagian bahagian: 7877

MT35XL512ABA2G12-0AUT TR

bahagian bahagian: 3951

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

MTFC16GAPALBH-AIT TR

bahagian bahagian: 2924

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT25TL01GBBB8ESF-0AAT

bahagian bahagian: 1357

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT53D768M64D4NZ-046 WT:A

bahagian bahagian: 6816

MT44K32M36RCT-125E:A TR

bahagian bahagian: 3889

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 1.125Gb (32Mb x 36), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F

bahagian bahagian: 1179

MT28EW256ABA1LPN-0SIT TR

bahagian bahagian: 772

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

N25Q256A73ESF40G TR

bahagian bahagian: 770

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (64M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT28EW256ABA1LPC-1SIT TR

bahagian bahagian: 4823

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

MTFC128GAOANAM-WT ES

bahagian bahagian: 7336

MT28EW512ABA1LPN-0SIT

bahagian bahagian: 1020

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D

bahagian bahagian: 6661

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MTFC128GAOANEA-WT ES

bahagian bahagian: 9388

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8),

MT53B2DARN-DC TR

bahagian bahagian: 3943

MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A

bahagian bahagian: 1684

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53D2G32D8QD-046 WT ES:E TR

bahagian bahagian: 9216

MT29F128G08EBCDBB05A3WC1ES

bahagian bahagian: 7946

EDB8132B4PM-1DAT-F-R TR

bahagian bahagian: 3723

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

MTFC256GBAOANAM-WT ES

bahagian bahagian: 7532

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Tb (256G x 8),

MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C

bahagian bahagian: 1832

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D

bahagian bahagian: 2285

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G TR

bahagian bahagian: 8838

MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E

bahagian bahagian: 6506

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR

bahagian bahagian: 9622

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53D2G32D8QD-062 WT:D

bahagian bahagian: 2136

MT53D768M64D4SQ-053 WT:A TR

bahagian bahagian: 4060

MTFC64GAPALNA-AIT TR

bahagian bahagian: 572

MT29E64G08CBCDBJ4-6:D

bahagian bahagian: 4269

MT35XU256ABA1G12-0AAT TR

bahagian bahagian: 3592

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES:E

bahagian bahagian: 5182

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MTFC64GAPALNA-AAT TR

bahagian bahagian: 525

MT53E1G64D8NW-046 WT:E

bahagian bahagian: 3753