Ingatan

MT53D1G32D4NQ-062 WT ES:D TR

bahagian bahagian: 3326

MTFC8GAMALBH-AIT ES TR

bahagian bahagian: 531

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

MTFC8GAMALNA-AAT TR

bahagian bahagian: 3004

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

MT53D384M16D1Z1AMWC1

bahagian bahagian: 8314

MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B

bahagian bahagian: 2339

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT35XU512ABA2G12-0AAT TR

bahagian bahagian: 3609

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT53E512M32D2NP-046 TR

bahagian bahagian: 9957

MT53D384M64D4KA-046 XT ES:E

bahagian bahagian: 6176

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53D768M64D8SQ-046 WT ES:E TR

bahagian bahagian: 4021

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53D2048M32D8QD-053 WT ES:D

bahagian bahagian: 3301

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (2G x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E

bahagian bahagian: 6684

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MTFC16GAPALNA-AAT

bahagian bahagian: 7453

MT29VZZZBC9FQOPR-053 W.G9G TR

bahagian bahagian: 5915

MT53B384M32D2DS-062 AAT:B

bahagian bahagian: 4263

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MTFC64GAJAEDN-AAT

bahagian bahagian: 4996

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8),

MT29F8G01ADAFD12-AATES:F TR

bahagian bahagian: 5789

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (8G x 1),

EMF8132A3PB-DV-F-D

bahagian bahagian: 1394

MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B

bahagian bahagian: 8986

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1.125Tb (144G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT44K64M18RB-083E:A

bahagian bahagian: 4972

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 1.125Gb (64Mb x 18), Kekerapan Jam: 1200MHz,

MT53D384M32D2DS-053 AAT:C TR

bahagian bahagian: 6734

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53D512M32D2NP-046 WT:D TR

bahagian bahagian: 6947

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT29F256G08AMEBBH7-12:B

bahagian bahagian: 5288

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT41K256M8DA-107 IT:K TR

bahagian bahagian: 6076

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F4G01ABAFD12-ITES:F TR

bahagian bahagian: 5649

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (4G x 1),

MT53D1024M64D8NW-062 WT:D TR

bahagian bahagian: 6663

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53D4DAKA-DC TR

bahagian bahagian: 9251

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B

bahagian bahagian: 9120

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT53D4DAWT-DC

bahagian bahagian: 4256

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29TZZZ5D6JKFRL-107 W.96R

bahagian bahagian: 9269

MT40A512M16JY-062E IT:B

bahagian bahagian: 100

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 1.6GHz,

MT25QU128ABA8E14-0SIT

bahagian bahagian: 1897

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F

bahagian bahagian: 9215

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT29E384G08EBHBBJ4-3:B

bahagian bahagian: 8830

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 384Gb (48G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT41K128M16JT-125 V:K

bahagian bahagian: 8043

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT40A2G8FSE-093E:A

bahagian bahagian: 9357

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8), Kekerapan Jam: 1067MHz,

MT53D768M32D4CB-053 WT:C

bahagian bahagian: 4763

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (768M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,