Ingatan

MT29F1G01ABAFDSF-IT:F TR

bahagian bahagian: 5530

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (1G x 1),

MT53D4DANY-DC TR

bahagian bahagian: 9234

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT40A2G4WE-075E:D

bahagian bahagian: 4076

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (2G x 4), Kekerapan Jam: 1.33GHz,

MT29VZZZAD8HQKPR-053 W.G8C TR

bahagian bahagian: 5911

MT53D1024M32D4NQ-046 AIT:D

bahagian bahagian: 5269

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT40A512M16JY-075E AIT:B

bahagian bahagian: 129

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 1.33GHz,

MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F

bahagian bahagian: 3793

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16),

MT53D1G64D8SQ-053 WT:E

bahagian bahagian: 5373

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E

bahagian bahagian: 7330

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8),

MT53D384M32D2DS-046 AIT:C TR

bahagian bahagian: 6646

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT29TZZZ4D4BKERL-125 W.94M

bahagian bahagian: 9240

MT53D4DFSB-DC TR

bahagian bahagian: 6825

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53D768M64D8RG-053 WT:D TR

bahagian bahagian: 7098

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F TR

bahagian bahagian: 5577

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (4G x 1),

MT29GZ5A5BPGGA-53ITES.87J

bahagian bahagian: 1178

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT40A512M8RH-075E AIT:B

bahagian bahagian: 9477

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 1.33GHz,

EDFA364A3MA-GD-F-R

bahagian bahagian: 3187

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR

bahagian bahagian: 5792

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

MT29F256G08CBCBBJ4-37:B

bahagian bahagian: 1958

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MT29F4G01ABBFDWB-ITES:F

bahagian bahagian: 3552

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (4G x 1),

MT51J256M32HF-60:A

bahagian bahagian: 9597

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1.5GHz,

MTFC16GAPALBH-AAT TR

bahagian bahagian: 48

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

EMB4432BBBBJ-DV-F-D

bahagian bahagian: 4137

MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A

bahagian bahagian: 4898

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR

bahagian bahagian: 5748

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT40A2G8FSE-083E:A

bahagian bahagian: 4538

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MT53D1024M32D4NQ-046 AAT:D TR

bahagian bahagian: 6568

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

EMB8164B4PR-DV-F-D

bahagian bahagian: 4108

MT53D1024M32D4NQ-053 WT:D

bahagian bahagian: 4936

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT29F128G08AMCDBJ5-6IT:D

bahagian bahagian: 8537

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR

bahagian bahagian: 6394

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MTFC16GAKAEEF-AIT

bahagian bahagian: 1004

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT29F128G08AECBBH6-6IT:B

bahagian bahagian: 8838

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT28FW512ABA1HPC-0AAT

bahagian bahagian: 8766

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

MT40A1G8WE-083E AIT:B

bahagian bahagian: 95

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MT53D384M32D2DS-053 AUT:C TR

bahagian bahagian: 6739

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,