Ingatan

MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F TR

bahagian bahagian: 5754

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16),

MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR

bahagian bahagian: 93

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

MT29F2T08EMHAFJ4-3TES:A

bahagian bahagian: 5280

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Tb (256G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MTFC16GAKAECN-5M AIT TR

bahagian bahagian: 1065

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT53D1024M64D8NW-046 WT:D

bahagian bahagian: 5423

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E

bahagian bahagian: 4564

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR

bahagian bahagian: 6205

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53B384M32D2NP-053 WT:B

bahagian bahagian: 4474

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53B384M64D4TX-053 WT:B

bahagian bahagian: 9756

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53D1024M64D8NW-053 WT:D

bahagian bahagian: 5348

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H

bahagian bahagian: 9098

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR

bahagian bahagian: 5492

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT53D1024M64D8NW-062 WT:D

bahagian bahagian: 5117

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT28FW512ABA1HJS-0AAT

bahagian bahagian: 8690

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

MT53B1DADS-DC TR

bahagian bahagian: 6314

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29C8G96MAZBBDKD-48 IT

bahagian bahagian: 8811

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDRAM), Kekerapan Jam: 208MHz,

MTFC16GAKAECN-2M WT TR

bahagian bahagian: 8605

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT44K64M18RB-083E:A TR

bahagian bahagian: 6181

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 1.125Gb (64Mb x 18), Kekerapan Jam: 1200MHz,

MT61K256M32JE-14:A TR

bahagian bahagian: 88

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR6, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1.75GHz,

MT53D768M64D8WF-053 WT:D

bahagian bahagian: 9163

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT53D512M32D2NP-062 WT:D

bahagian bahagian: 4295

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F2G01ABBGDSF-IT:G

bahagian bahagian: 3401

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (2G x 1),

MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR

bahagian bahagian: 56

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F

bahagian bahagian: 3798

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

MT38W2011A90YZQXZI.X68

bahagian bahagian: 1956

MT29F64G08CBCGBWP-B:G TR

bahagian bahagian: 1653

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

MT40A1G4RH-075E:B

bahagian bahagian: 9321

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (1G x 4), Kekerapan Jam: 1.33GHz,

EDFA232A2PD-GD-F-R

bahagian bahagian: 1096

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT41K256M16LY-107:N

bahagian bahagian: 9525

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 933MHz,

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

bahagian bahagian: 5483

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT38W1011A90YZQXZI.XB8

bahagian bahagian: 9261

MTFC16GAKAECN-AIT TR

bahagian bahagian: 1004

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR

bahagian bahagian: 7033

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT

bahagian bahagian: 8780

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDRAM), Kekerapan Jam: 208MHz,

MT53D512M64D4NW-053 WT:D

bahagian bahagian: 4971

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT29VZZZ7D7HQKWL-062 W.G7A

bahagian bahagian: 4767