Ingatan

N25Q064A13EW74ME

bahagian bahagian: 3855

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT29F256G08CMCABH2-12Z:A TR

bahagian bahagian: 1785

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR

bahagian bahagian: 420

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 3Tb (384G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

EDF8164A3PF-GD-F-D

bahagian bahagian: 2840

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

EDB4432BBBH-1D-F-D

bahagian bahagian: 3146

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR

bahagian bahagian: 1052

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

N25Q064A13ESEA0F TR

bahagian bahagian: 1190

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR

bahagian bahagian: 5214

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT25TL01GHBB8ESF-0AAT TR

bahagian bahagian: 5278

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT44K32M18RB-107E IT:B TR

bahagian bahagian: 1481

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT53B384M64D4EZ-062 WT:B TR

bahagian bahagian: 1455

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

EDFA332A3PB-JD-F-R TR

bahagian bahagian: 440

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F256G08CJAAAWP-IT:A TR

bahagian bahagian: 9367

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT29F64G08AFAAAWP-IT:A TR

bahagian bahagian: 8020

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

EDF8132A3MA-GD-F-D

bahagian bahagian: 3538

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT29F256G08EECBBJ4-6:B TR

bahagian bahagian: 5962

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

EDB2432B4MA-1DAUT-F-D

bahagian bahagian: 6770

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (64M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

PC28F00AP30BFB TR

bahagian bahagian: 1339

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 52MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

EDFA364A3MA-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 2536

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT25QL02GCBB8E12-0SIT TR

bahagian bahagian: 4177

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR

bahagian bahagian: 299

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Tb (512G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

EDFA232A2PB-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 452

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 800MHz,

N25Q512A81GSF40G

bahagian bahagian: 2811

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

EDBA232B2PD-1D-F-R TR

bahagian bahagian: 10003

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR

bahagian bahagian: 1225

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

PC28F512P30EFB TR

bahagian bahagian: 7135

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

MT46H64M32LFKQ-5 IT:C TR

bahagian bahagian: 6695

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 2Gb (64M x 32), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

EDFA164A2PK-JD-F-D

bahagian bahagian: 3339

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT25TL01GBBB8E12-0AAT TR

bahagian bahagian: 5232

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT35XU01GBBA3G12-0SIT TR

bahagian bahagian: 7613

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

MT29F1G08ABADAWP-ITE:D

bahagian bahagian: 7952

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8),

MT49H8M36SJ-TI:B TR

bahagian bahagian: 3077

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (8M x 36),

EDB4432BBBH-1D-F-R TR

bahagian bahagian: 8903

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT29F512G08CUCABH3-10:A TR

bahagian bahagian: 9400

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT43A4G80200NFH-S15 ES:A

bahagian bahagian: 104

MT29F64G08AFAAAWP:A TR

bahagian bahagian: 7986

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),