Ingatan

EDB5432BEPA-1DIT-F-D

EDB5432BEPA-1DIT-F-D

bahagian bahagian: 16980

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

Senarai harapan
N25Q064A13EF640FN02 TR

N25Q064A13EF640FN02 TR

bahagian bahagian: 98847

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

Senarai harapan
MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

bahagian bahagian: 11993

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH, PSRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
MT29F1T08CPECBH8-12:C TR

MT29F1T08CPECBH8-12:C TR

bahagian bahagian: 5389

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

Senarai harapan
MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B TR

MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B TR

bahagian bahagian: 1434

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

Senarai harapan
N25Q256A13E12A0F TR

N25Q256A13E12A0F TR

bahagian bahagian: 14423

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (64M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

Senarai harapan
MT29F128G08CBCABH6-6M:A

MT29F128G08CBCABH6-6M:A

bahagian bahagian: 9509

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
MT29F256G08AMCBBH7-6:B TR

MT29F256G08AMCBBH7-6:B TR

bahagian bahagian: 5506

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
N25Q128A13ESEA0F TR

N25Q128A13ESEA0F TR

bahagian bahagian: 1139

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (32M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

Senarai harapan
MT25QL01GBBA8E12E01-2SIT TR

MT25QL01GBBA8E12E01-2SIT TR

bahagian bahagian: 8512

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

Senarai harapan
MTFC64GAJAEDN-5M AIT

MTFC64GAJAEDN-5M AIT

bahagian bahagian: 1018

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8),

Senarai harapan
MT52L256M64D2PD-107 WT ES:B TR

MT52L256M64D2PD-107 WT ES:B TR

bahagian bahagian: 8877

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

Senarai harapan
MT40A1G8WE-083E IT:B TR

MT40A1G8WE-083E IT:B TR

bahagian bahagian: 3448

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

Senarai harapan
MT53B384M64D4NZ-053 WT:C

MT53B384M64D4NZ-053 WT:C

bahagian bahagian: 2128

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

Senarai harapan
MT41K256M16TW-107 AIT:P

MT41K256M16TW-107 AIT:P

bahagian bahagian: 4602

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 933MHz,

Senarai harapan
EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR

EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR

bahagian bahagian: 16034

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 533MHz,

Senarai harapan
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR

MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR

bahagian bahagian: 949

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1.5Tb (192G x 8),

Senarai harapan
MT49H8M36SJ-5:B

MT49H8M36SJ-5:B

bahagian bahagian: 1052

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (8M x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
MT29F512G08CMEABH7-12:A TR

MT29F512G08CMEABH7-12:A TR

bahagian bahagian: 9403

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

Senarai harapan
MT29F64G08CECCBH1-12:C TR

MT29F64G08CECCBH1-12:C TR

bahagian bahagian: 9522

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

Senarai harapan
N25Q512A11G1240E

N25Q512A11G1240E

bahagian bahagian: 2507

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

Senarai harapan
N25Q064A11ESECFE

N25Q064A11ESECFE

bahagian bahagian: 3529

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

Senarai harapan
MT40A512M16LY-062E:E TR

MT40A512M16LY-062E:E TR

bahagian bahagian: 79

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 1.6GHz,

Senarai harapan
MT53B384M16D1Z0AQWC1

MT53B384M16D1Z0AQWC1

bahagian bahagian: 4515

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 6Gb (384M x 16),

Senarai harapan
MT29F256G08EFEBBWP:B TR

MT29F256G08EFEBBWP:B TR

bahagian bahagian: 6067

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

Senarai harapan
EDFB164A1MA-GD-F-R TR

EDFB164A1MA-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 581

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR

MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR

bahagian bahagian: 8824

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

Senarai harapan
MT49H32M18CBM-25 IT:B

MT49H32M18CBM-25 IT:B

bahagian bahagian: 8070

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

Senarai harapan
MTFC16GALAHEA-WT TR

MTFC16GALAHEA-WT TR

bahagian bahagian: 5502

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

Senarai harapan
EDFP112A3PB-GDTJ-F-D

EDFP112A3PB-GDTJ-F-D

bahagian bahagian: 2595

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (192M x 128), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
MT29F256G08CBCBBWP-10M:B TR

MT29F256G08CBCBBWP-10M:B TR

bahagian bahagian: 4264

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

Senarai harapan
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C

MT29F512G08CKCCBH7-6R:C

bahagian bahagian: 1062

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
EDFA164A2PK-GD-F-R TR

EDFA164A2PK-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 407

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
MT29F16G08AFABAWP:B

MT29F16G08AFABAWP:B

bahagian bahagian: 9594

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8),

Senarai harapan
EDFP164A3PD-MD-F-D

EDFP164A3PD-MD-F-D

bahagian bahagian: 2910

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1067MHz,

Senarai harapan
MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR

MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR

bahagian bahagian: 10063

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

Senarai harapan